Etude expérimentale d'un étage intégré d'isolation par voie optique pour transistors de puissance - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Etude expérimentale d'un étage intégré d'isolation par voie optique pour transistors de puissance

Résumé

Dans le but de proposer des transistors de puissance génériques et performants, nous présentons la caractérisation d'une solution intégrée permettant le transfert d'ordres de commutation isolés par voie optique. Les détecteurs optiques intégrés possèdent une sensibilité spectrale et une bande passante particulièrement intéressantes.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00716725 , version 1 (11-07-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00716725 , version 1

Citer

Nicolas Clément, Jean-Paul Rouger, Raha Vafaei, Duc Ngoc To, Jean-Christophe Crébier. Etude expérimentale d'un étage intégré d'isolation par voie optique pour transistors de puissance. Electronique de Puissance du Futur 2012, Jul 2012, France. ⟨hal-00716725⟩

Collections

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