Deep Inductively Coupled Plasma Etching of GaN - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00696393 , version 1 (11-05-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00696393 , version 1

Citer

Julien Ladroue, Mohamed Boufnichel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson, et al.. Deep Inductively Coupled Plasma Etching of GaN. AVS 57th International Symposium & Exhibition, Nov 2010, Albuquerque, United States. ⟨hal-00696393⟩
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