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Communication Dans Un Congrès Année : 2011

SiC and AlN growth processing : experiments and simulation.

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00692283 , version 1 (29-04-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00692283 , version 1

Citer

M. Pons, D. Chaussende, J.M. Dedulle, R. Boichot, E. Blanquet. SiC and AlN growth processing : experiments and simulation.. International Workshop on Wide Band Gap Semiconductor Nanostructures, Jan 2011, Chennai, India. ⟨hal-00692283⟩
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