Détection et identification des pièges dans les HEMTS AlGaN/GaN
Résumé
Ces travaux traitent de la détection et de la caractérisation d'effets parasites de fonctionnement dans des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC. Après avoir montré l'influence des conditions expérimentales et étudié les effets de la température sur les caractéristiques statiques de sortie IDS(VDS), l'effet de coude mis en évidence est caractérisé puis une identification de la signature des pièges est effectuée par des mesures de " Transitoires isothermes de courant de drain ".