Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT under thermal and electrical stresses

Type de document :
Article dans une revue
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2011, 51 (9-11), pp.1730-1735
Liste complète des métadonnées

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00670550
Contributeur : Nathalie Labat <>
Soumis le : mercredi 15 février 2012 - 16:10:15
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:27:11

Identifiants

  • HAL Id : hal-00670550, version 1

Citation

G. A. Koné, B. Grandchamp, C. Hainaut, F. Marc, C. Maneux, et al.. Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT under thermal and electrical stresses. Microelectronics Reliability, Elsevier, 2011, 51 (9-11), pp.1730-1735. 〈hal-00670550〉

Partager

Métriques

Consultations de la notice

114