Wide Band Gap Semiconductors Benefits for High Power, High Voltage and High Temperature Applications - Archive ouverte HAL

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Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Wide Band Gap Semiconductors Benefits for High Power, High Voltage and High Temperature Applications

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Dominique Tournier

Fonction : Auteur
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Ampère

Pierre Brosselard

Fonction : Auteur
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Ampère

Christophe Raynaud

Fonction : Auteur
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Ampère

Mihai Lazar

Fonction : Auteur
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Ampère

Hervé Morel

Fonction : Auteur
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Ampère

Dominique Planson

Fonction : Auteur
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Ampère

Domaines

Energie électrique

Publications Ampère : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00661500

Soumis le : jeudi 19 janvier 2012-17:01:00

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:55

Dates et versions

hal-00661500 , version 1 (19-01-2012)

Identifiants

HAL Id : hal-00661500 , version 1

Citer

Dominique Tournier, Pierre Brosselard, Christophe Raynaud, Mihai Lazar, Hervé Morel, et al.. Wide Band Gap Semiconductors Benefits for High Power, High Voltage and High Temperature Applications. CIMA, Mar 2011, Beyrouth, Lebanon. pp.CD. ⟨hal-00661500⟩

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