150-GHz RF SOI-CMOS technology in ultrathin regime on organic substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2011

150-GHz RF SOI-CMOS technology in ultrathin regime on organic substrate

Marie Lesecq
Francois Danneville
L. Poulain
  • Fonction : Auteur
Y. Tagro
  • Fonction : Auteur
Sylvie Lepilliet
D. Gloria
  • Fonction : Auteur
C. Raynaud
David Troadec
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00639864 , version 1 (10-11-2011)

Identifiants

Citer

A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, Emmanuel Dubois, Marie Lesecq, Francois Danneville, L. Poulain, et al.. 150-GHz RF SOI-CMOS technology in ultrathin regime on organic substrate. IEEE Electron Device Letters, 2011, 32, pp.1510-1512. ⟨10.1109/LED.2011.2166241⟩. ⟨hal-00639864⟩
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