Different Architectures of Relaxed Si1-xGex/Si Pseudo-Substrates Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition: Structural and Morphological Characteristics - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2011

Different Architectures of Relaxed Si1-xGex/Si Pseudo-Substrates Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition: Structural and Morphological Characteristics

Mahfoudh Raïssi
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 958152
G. Regula
  • Fonction : Auteur
C. Hadj Belgacem
  • Fonction : Auteur
N. Rochdi
  • Fonction : Auteur
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
S. Bozzo-Escoubas
C. Coudreau
  • Fonction : Auteur
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
B. Holländer
  • Fonction : Auteur
M. Fnaiech
  • Fonction : Auteur
F.A. d'Avitaya
  • Fonction : Auteur
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
And J.-L. Lazzari
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
CV

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https://hal.science/hal-00624850

Soumis le : mardi 20 septembre 2011-09:07:22

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:54

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Dates et versions

hal-00624850 , version 1 (20-09-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00624850 , version 1

Citer

Mahfoudh Raïssi, G. Regula, C. Hadj Belgacem, N. Rochdi, S. Bozzo-Escoubas, et al.. Different Architectures of Relaxed Si1-xGex/Si Pseudo-Substrates Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition: Structural and Morphological Characteristics. Journal of Crystal Growth, 2011, 328, pp.18-24. ⟨hal-00624850⟩

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