Integration and frequency dependent electrical modeling of Through Silicon Vias (TSV) for high density 3DICs

L. Cadix , M. Rousseau (1) , C. Fuchs , P. Leduc (2) , Aurélie Thuaire (3) , H. Chaabouni (4) , R. Anciant , J.-L. Huguenin , P. Coudrain , A. Farcy (5) , R. El Farhane (6) , C. Bermond , N. Sillon , B. Fléchet , P. Ancey (7)

1 CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
2 IBCP - Institut de biologie et chimie des protéines [Lyon]
3 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
4 LERMA - LERMA Cergy
5 PPrime [Poitiers] - Institut Pprime [UPR 3346]
6 LGGE - Laboratoire de glaciologie et géophysique de l'environnement
7 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

L. Cadix, M. Rousseau, C. Fuchs, P. Leduc, Aurélie Thuaire, et al.. Integration and frequency dependent electrical modeling of Through Silicon Vias (TSV) for high density 3DICs. IEEE International Interconnect Technology Conference, Jun 2010, San Francisco, United States. ⟨hal-00604331⟩