"Characterization and Modeling of RF Substrate Coupling Effects due to Vertical Interconnects in 3D Integrated Circuit Stacking " - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

"Characterization and Modeling of RF Substrate Coupling Effects due to Vertical Interconnects in 3D Integrated Circuit Stacking "

E. Eid
  • Fonction : Auteur
T. Lacrevaz
C. Bermond
S. de Rivaz
  • Fonction : Auteur
S. Capraro
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 959957
Dispositifs et Instrumentation en Optoélectronique et micro-ondes
J. Roullard
  • Fonction : Auteur
L. Cadix
  • Fonction : Auteur
B. Fléchet
A. Farcy
  • Fonction : Auteur
Institut Pprime [UPR 3346]
P. Ancey
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
F. Calmon
CV
O. Valorge
  • Fonction : Auteur
P. Leduc
  • Fonction : Auteur
Institut de biologie et chimie des protéines [Lyon]

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00604327

Soumis le : mardi 28 juin 2011-16:22:54

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-15:00:10

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604327 , version 1 (28-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604327 , version 1

Citer

E. Eid, T. Lacrevaz, C. Bermond, S. de Rivaz, S. Capraro, et al.. "Characterization and Modeling of RF Substrate Coupling Effects due to Vertical Interconnects in 3D Integrated Circuit Stacking ". IEEE Signal Propagation on Interconnects,, May 2010, Hidelsheim, Germany. ⟨hal-00604327⟩

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