3D source/drain doping optimization in multi-channel MOSFET. ESSDERC

K. Tachi , N. Vulliet , S. Barraud , B. Guillaumot , V. Maffini-Alvaro , C. Vizioz , C. Arvet , Y. Campidelli (1) , P. Gautier (2) , J.M. Hartmann , T. Skotnicki , S. Cristoloveanu (3) , H. Iwai , O. Faynot (4) , T. Ernst (4)

1 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
2 LECA - Laboratoire d'Ecologie Alpine
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
4 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Autre [cond-mat.other]

K. Tachi, N. Vulliet, S. Barraud, B. Guillaumot, V. Maffini-Alvaro, et al.. 3D source/drain doping optimization in multi-channel MOSFET. ESSDERC. 40th European Solid-State Device Research Conference, Sep 2010, Sevilla, Spain. pp.368-371. ⟨hal-00604294⟩