What is the killing advantage of multiple-gate SOI MOSFETs: electrostatics and scalability, transport or functionality ?

S. Christologique , J.-P. Colinge , J. Fossum , C. Claeys , F. Balestra (1) , O. Faynot (2) , S. Monfray

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Autre [cond-mat.other]

S. Christologique, J.-P. Colinge, J. Fossum, C. Claeys, F. Balestra, et al.. What is the killing advantage of multiple-gate SOI MOSFETs: electrostatics and scalability, transport or functionality ?. Invited paper, panel session, Jan 2009, Göteborg, Sweden. ⟨hal-00603741⟩