Experimental Investigation of Transport Mechanisms through HfO2 Gate Stacks in nMOS Transistors

J. Coignus , Cédric Leroux (1) , R. Clerc (2) , G. Ghibaudo (2) , G. Reimbold (3) , F. Boulanger (4)

1 Lab-STICC - Laboratoire des sciences et techniques de l'information, de la communication et de la connaissance (UMR 3192)
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 IAS - Institut d'astrophysique spatiale

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

J. Coignus, Cédric Leroux, R. Clerc, G. Ghibaudo, G. Reimbold, et al.. Experimental Investigation of Transport Mechanisms through HfO2 Gate Stacks in nMOS Transistors. European Solid-State Device Research Conference,, Sep 2009, Athènes, Greece. pp.169-173. ⟨hal-00603729⟩