Impact of gate length on the device performance of passivated InAlN/GaN HFET - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Impact of gate length on the device performance of passivated InAlN/GaN HFET

N. Ketteniss
  • Fonction : Auteur
F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
H. Behmenburg
  • Fonction : Auteur
A. Noculak
  • Fonction : Auteur
N. Defrance
Virginie Hoel
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M. Heuken
  • Fonction : Auteur
A. Vescan
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00603114

Soumis le : vendredi 24 juin 2011-10:29:58

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00603114 , version 1 (24-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603114 , version 1

Citer

N. Ketteniss, F. Lecourt, H. Behmenburg, A. Noculak, N. Defrance, et al.. Impact of gate length on the device performance of passivated InAlN/GaN HFET. 35th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2011, 2011, Italy. pp.1-2. ⟨hal-00603114⟩

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