High yield of self-catalyzed GaAs nanowire arrays grown on silicon via gallium droplet positioning

S.R. Plissard; G. Larrieu; X. Wallart; P. Caroff

doi:10.1088/0957-4484/22/27/275602

Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2011

High yield of self-catalyzed GaAs nanowire arrays grown on silicon via gallium droplet positioning

, , , (1)

1

S.R. Plissard

Fonction : Auteur
PersonId : 174125
IdHAL : splissard
ORCID : 0000-0002-0769-5429
IdRef : 129352276

G. Larrieu

Fonction : Auteur

X. Wallart

Fonction : Auteur
PersonId : 741251
IdHAL : xavier-wallart
ORCID : 0000-0002-0915-0043
IdRef : 03424879X

P. Caroff

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00597081

Soumis le : mardi 31 mai 2011-10:46:42

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00597081 , version 1 (31-05-2011)

Identifiants

HAL Id : hal-00597081 , version 1
DOI : 10.1088/0957-4484/22/27/275602

Citer

S.R. Plissard, G. Larrieu, X. Wallart, P. Caroff. High yield of self-catalyzed GaAs nanowire arrays grown on silicon via gallium droplet positioning. Nanotechnology, 2011, 22, pp.275602-1-7. ⟨10.1088/0957-4484/22/27/275602⟩. ⟨hal-00597081⟩

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