Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00596131
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-15:41:41
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:10:51
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596131 , version 1
Citer
M. Charbonnier, Cédric Leroux, V. Cosnier, P. Besson, F. Martin, et al.. Tuning the dipole at the High-/SiO2 interface in advanced metal gate stacks.. Microelectronic Engineering, 2009, 86, pp.1740-1742. ⟨hal-00596131⟩
67
Consultations
0
Téléchargements