Diamond overgrown InAlN/GaN HEMT

M. Alomari; M. Dipalo; S. Rossi; M.A. Di Forte-Poisson; S. Delage; J.F. Carlin; N. Grandjean; Christophe Gaquière; L. Toth; B. Pecz; E. Kohn

doi:10.1016/j.diamond.2011.01.006

Article Dans Une Revue Diamond and Related Materials Année : 2011

Diamond overgrown InAlN/GaN HEMT

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M. Alomari

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M. Dipalo

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S. Rossi

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M.A. Di Forte-Poisson

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S. Delage

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J.F. Carlin

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N. Grandjean

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PersonId : 757994
ORCID : 0000-0003-3610-981X

Christophe Gaquière

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PersonId : 746853
IdHAL : christophe-gaquiere
ORCID : 0000-0003-3082-2489
IdRef : 059765615

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

L. Toth

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B. Pecz

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E. Kohn

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https://hal.science/hal-00591327

Soumis le : lundi 9 mai 2011-09:13:47

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00591327 , version 1 (09-05-2011)

Identifiants

HAL Id : hal-00591327 , version 1
DOI : 10.1016/j.diamond.2011.01.006

Citer

M. Alomari, M. Dipalo, S. Rossi, M.A. Di Forte-Poisson, S. Delage, et al.. Diamond overgrown InAlN/GaN HEMT. Diamond and Related Materials, 2011, 20, pp.604-608. ⟨10.1016/j.diamond.2011.01.006⟩. ⟨hal-00591327⟩

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