Ultra-low energy ion implantation of Si into HfO2 and HfSiO-based structures for non volatile memory applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Ultra-low energy ion implantation of Si into HfO2 and HfSiO-based structures for non volatile memory applications

Caroline Bonafos
F. Gloux
  • Fonction : Auteur
Pierre-Eugène Coulon
  • Fonction : Auteur
Jesse Groenen
Sylvie Schamm-Chardon
CV
Gérard Benassayag
CV
Béatrice Pécassou
A. Slaoui
  • Fonction : Auteur
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
B. Sahu
  • Fonction : Auteur
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
Marzia Carrada
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
S. Lhostis
  • Fonction : Auteur

Marie-Anne Jung  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00590517

Soumis le : mardi 3 mai 2011-16:38:51

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00590517 , version 1 (03-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00590517 , version 1

Citer

Caroline Bonafos, F. Gloux, Pierre-Eugène Coulon, Jesse Groenen, Sylvie Schamm-Chardon, et al.. Ultra-low energy ion implantation of Si into HfO2 and HfSiO-based structures for non volatile memory applications. Material Research Society (MRS) Spring Meeting, Symposium on Materials and Physics for Nonvolatile Memories II, Apr 2010, San Francisco, United States. pp.ISBN 978-1-60511-226-8. ⟨hal-00590517⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS
78 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More