Analyse et caractérisation de diodes Schottky Pt/n-GaN

Type de document :
Communication dans un congrès
Matériaux 2010, Nov 2010, Mahdia, Tunisie
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Contributeur : Thomas Kauffmann <>
Soumis le : vendredi 25 mars 2011 - 09:55:12
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:21

Identifiants

  • HAL Id : hal-00579824, version 1

Citation

A. Ahaitouf, S. Ould Saad, J.P. Salvestrini, H. Srour. Analyse et caractérisation de diodes Schottky Pt/n-GaN. Matériaux 2010, Nov 2010, Mahdia, Tunisie. 〈hal-00579824〉

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