Measurement and Modeling of Temperature-dependent Resistivity in N- and P-doped AlGaN Epilayers - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Measurement and Modeling of Temperature-dependent Resistivity in N- and P-doped AlGaN Epilayers

T. Baghdadli
  • Fonction : Auteur
Unité de Recherche Matériaux et Energies Renouvelables
S. Ould Saad Hamady
T1
CV

Thomas Kauffmann  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00578899

Soumis le : mardi 22 mars 2011-15:58:18

Dernière modification le : jeudi 26 janvier 2023-04:00:44

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00578899 , version 1 (22-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00578899 , version 1

Citer

T. Baghdadli, S. Ould Saad Hamady. Measurement and Modeling of Temperature-dependent Resistivity in N- and P-doped AlGaN Epilayers. European Materials Research Society (EMRS 2011), May 2011, Nice, France. ⟨hal-00578899⟩

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