B(Al,Ga)N materials capability for advanced optic devices structures in the UV range

S. Gautier (1) , M. Abid (2) , T. Moudakir (2, 3) , G. Orsal (1) , V. Ravindran (4) , O. Naciri (5) , A. Migan-Dubois (6) , Z. Djebbour (6) , David Troadec (7) , A. Soltani (7) , G. Patriarche (8) , A. Ougazzaden (2)

1 T1
2 UMI GT CNRS
3 LMOPS - Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
4 Georgia Tech Lorraine [Metz]
5 LPMD - Laboratoire de Physique des Milieux Denses
6 LGEP - Laboratoire de génie électrique de Paris
7 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
8 Laboratoire de Photonique et Nanostructure, CNRS

Domaines: Physique [physics]

S. Gautier, M. Abid, T. Moudakir, G. Orsal, V. Ravindran, et al.. B(Al,Ga)N materials capability for advanced optic devices structures in the UV range. SPIE 2011, Jan 2011, San Francisco, United States. ⟨hal-00578877⟩