PZT films etched by focused Ga3+ ion beam : studies of ion damage and post annealing treatment effects - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

PZT films etched by focused Ga3+ ion beam : studies of ion damage and post annealing treatment effects

Denis Remiens
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
R.H. Liang
  • Fonction : Auteur
Caroline Soyer
David Troadec
D. Deresmes
CV
A. Dacosta
  • Fonction : Auteur
R. Desfeux

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https://hal.science/hal-00575744

Soumis le : vendredi 11 mars 2011-09:19:47

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00575744 , version 1 (11-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00575744 , version 1

Citer

Denis Remiens, R.H. Liang, Caroline Soyer, David Troadec, D. Deresmes, et al.. PZT films etched by focused Ga3+ ion beam : studies of ion damage and post annealing treatment effects. International Symposium on Piezoresponse Force Microscopy and Nanoscale Phenomena in Polar Materials, PFM 2009, 2009, Aveiro, Portugal. ⟨hal-00575744⟩

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