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Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Origin of the morphology for <111>-oriented Si nanowires

T. Xu
  • Fonction : Auteur
J.P. Nys
  • Fonction : Auteur
Maxime Berthe
B. Grandidier
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00575367 , version 1 (10-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00575367 , version 1

Citer

T. Xu, J.P. Nys, Maxime Berthe, B. Grandidier, D. Stiévenard. Origin of the morphology for <111>-oriented Si nanowires. 4th Nanowire Growth Workshop, NWG 2009, 2009, Paris, France. ⟨hal-00575367⟩
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