Improvement of AlN SAW performance by introduction of TiN nucleation layer on silicon substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Improvement of AlN SAW performance by introduction of TiN nucleation layer on silicon substrate

A. Soltani
Abdelkrim Talbi
V. Mortet
  • Fonction : Auteur
A. Bassam
  • Fonction : Auteur
A. Oussous
  • Fonction : Auteur
E. Monroy
K. Haenen
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Philippe Pernod

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https://hal.science/hal-00574426

Soumis le : mardi 8 mars 2011-09:40:56

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00574426 , version 1 (08-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00574426 , version 1

Citer

A. Soltani, Abdelkrim Talbi, V. Mortet, A. Bassam, A. Oussous, et al.. Improvement of AlN SAW performance by introduction of TiN nucleation layer on silicon substrate. 15th International Hasselt Diamond Workshop, SBDD XV, 2010, Hasselt, Belgium. ⟨hal-00574426⟩

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