Etude et fabrication de transistor à enrichissement de la filière InAlAs/InGaAs pour applications millimétriques faible bruit - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Autre Publication Scientifique Année : 2010

Etude et fabrication de transistor à enrichissement de la filière InAlAs/InGaAs pour applications millimétriques faible bruit

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https://hal.science/hal-00572683

Soumis le : mercredi 2 mars 2011-09:45:32

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00572683 , version 1 (02-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00572683 , version 1

Citer

Ikram El Makoudi. Etude et fabrication de transistor à enrichissement de la filière InAlAs/InGaAs pour applications millimétriques faible bruit. 2010. ⟨hal-00572683⟩

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