Etude morphologique de la croissance par épitaxie par jets moléculaires de GaSb sur substrat GaP - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Etude morphologique de la croissance par épitaxie par jets moléculaires de GaSb sur substrat GaP

S. El Kazzi
  • Fonction : Auteur
Christophe Coinon
X. Wallart
Y. Wang
  • Fonction : Auteur
P. Ruterana
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00572231 , version 1 (01-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00572231 , version 1

Citer

S. El Kazzi, L. Desplanque, Christophe Coinon, X. Wallart, Y. Wang, et al.. Etude morphologique de la croissance par épitaxie par jets moléculaires de GaSb sur substrat GaP. 13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 2, 1-4. ⟨hal-00572231⟩
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