Electrical behaviour of lateral Al/n-GaN/Al structures

Z.J. Horvath; L. Dobos; B. Beaumont; Z. Bougrioua; B. Pecz

doi:10.1016/j.apsusc.2010.03.031

Article Dans Une Revue Applied Surface Science Année : 2010

Electrical behaviour of lateral Al/n-GaN/Al structures

, , , (1) ,

1

Z.J. Horvath

Fonction : Auteur

L. Dobos

Fonction : Auteur

B. Beaumont

Fonction : Auteur

Z. Bougrioua

Fonction : Auteur
PersonId : 180745
IdHAL : zahia-bougrioua
ORCID : 0000-0003-3579-7091
IdRef : 113374135

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

B. Pecz

Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00568566

Soumis le : mercredi 23 février 2011-10:19:48

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00568566 , version 1 (23-02-2011)

Identifiants

HAL Id : hal-00568566 , version 1
DOI : 10.1016/j.apsusc.2010.03.031

Citer

Z.J. Horvath, L. Dobos, B. Beaumont, Z. Bougrioua, B. Pecz. Electrical behaviour of lateral Al/n-GaN/Al structures. Applied Surface Science, 2010, 256, pp.5614-5617. ⟨10.1016/j.apsusc.2010.03.031⟩. ⟨hal-00568566⟩

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