Epitaxial refractory-metal buffer layers with a chemical gradient for adjustable lattice parameter and controlled chemical interface - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2011

Epitaxial refractory-metal buffer layers with a chemical gradient for adjustable lattice parameter and controlled chemical interface

Olivier Fruchart
Anthony Rousseau
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 837591
A. L'Hoir
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 859626
Luc Ortega
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 949701

Résumé

We have developed and characterized the structure and composition of nanometers-thick solid-solution epitaxial layers of (V,Nb) on sapphire (11-20), displaying a continuous lateral gradient of composition from one to another pure element. Further covered with an ultrathin pseudomorphic layer of W, these provide a template for the fast combinatorial investigation of any growth or physical property depending of strain.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-00558695 , version 1 (23-01-2011)

Identifiants

Citer

Olivier Fruchart, Anthony Rousseau, Didier Schmaus, A. L'Hoir, Richard Haettel, et al.. Epitaxial refractory-metal buffer layers with a chemical gradient for adjustable lattice parameter and controlled chemical interface. Applied Physics Letters, 2011, 98, pp.131906. ⟨10.1063/1.3567793⟩. ⟨hal-00558695⟩
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