Spectral tuning of near-field radiative heat flux between two thin silicon carbide films

M. Francoeur; M.P Menguc; R. Vaillon

doi:10.1088/0022-3727/43/7/075501

Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2010

Spectral tuning of near-field radiative heat flux between two thin silicon carbide films

, , (1)

1

M. Francoeur

Fonction : Auteur

M.P Menguc

Fonction : Auteur

R. Vaillon

Fonction : Auteur
PersonId : 20424
IdHAL : rodolphe-vaillon
ORCID : 0000-0002-8559-3604
IdRef : 128903767

Centre de Thermique de Lyon

CV

Domaines

Thermique [physics.class-ph] Thermique [physics.class-ph]

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https://hal.science/hal-00551623

Soumis le : mardi 4 janvier 2011-11:10:32

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:54

Dates et versions

hal-00551623 , version 1 (04-01-2011)

Identifiants

HAL Id : hal-00551623 , version 1
DOI : 10.1088/0022-3727/43/7/075501

Citer

M. Francoeur, M.P Menguc, R. Vaillon. Spectral tuning of near-field radiative heat flux between two thin silicon carbide films. Journal of Physics D: Applied Physics, 2010, 43, pp.75501. ⟨10.1088/0022-3727/43/7/075501⟩. ⟨hal-00551623⟩

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