Characterization of the parasitic effects in InAlN/AlN/GaN HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Characterization of the parasitic effects in InAlN/AlN/GaN HEMTs

N. Malbert
  • Fonction : Auteur
C. Sury
  • Fonction : Auteur
A. Curutchet
  • Fonction : Auteur
N. Labat
  • Fonction : Auteur
C. Dua
  • Fonction : Auteur
M. Oualli
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Y. Douvry
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
C. Bru-Chevallier
CV
W. Chikaoui
  • Fonction : Auteur
J.M. Bluet

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https://hal.science/hal-00549998

Soumis le : jeudi 23 décembre 2010-10:29:27

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00549998 , version 1 (23-12-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00549998 , version 1

Citer

N. Malbert, C. Sury, A. Curutchet, N. Labat, C. Dua, et al.. Characterization of the parasitic effects in InAlN/AlN/GaN HEMTs. 5th Space Agency-MOD Round Table Workshop on GaN Component Technologies, 2010, Netherlands. pp.84-87. ⟨hal-00549998⟩

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