Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00549956
Soumis le : jeudi 23 décembre 2010-09:25:22
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
G. Moschetti, P.A. Nilsson, L. Desplanque, X. Wallart, H. Rodilla, et al.. DC and RF cryogenic behaviour of InAs/AlSb HEMTs. 22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Japan. pp.321-324, ⟨10.1109/ICIPRM.2010.5516313⟩. ⟨hal-00549956⟩
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