Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00549455
Soumis le : mercredi 22 décembre 2010-08:42:31
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, S. Joblot, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, et al.. AlGaN/GaN HEMTs on (001) silicon substrate with power density performance of 2.9 W/mm at 10 GHz. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57, pp.1497-1503. ⟨10.1109/TED.2010.2048792⟩. ⟨hal-00549455⟩
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