Functional model of a nanoparticle-organic memory transistor for use as a spiking synapse

O. Bichler; W. Zhao; F. Alibart; S. Pleutin; D. Vuillaume; G. Gamrat

doi:10.1109/TED.2010.2065951

Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2010

Functional model of a nanoparticle-organic memory transistor for use as a spiking synapse

, , , , (1) ,

1

O. Bichler

Fonction : Auteur

W. Zhao

Fonction : Auteur

F. Alibart

Fonction : Auteur
PersonId : 742542
IdHAL : fabien-alibart
ORCID : 0000-0002-9591-220X
IdRef : 172787416

S. Pleutin

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D. Vuillaume

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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

G. Gamrat

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Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00548966

Soumis le : mardi 21 décembre 2010-08:57:47

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00548966 , version 1 (21-12-2010)

Identifiants

HAL Id : hal-00548966 , version 1
DOI : 10.1109/TED.2010.2065951

Citer

O. Bichler, W. Zhao, F. Alibart, S. Pleutin, D. Vuillaume, et al.. Functional model of a nanoparticle-organic memory transistor for use as a spiking synapse. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57, pp.3115-3122. ⟨10.1109/TED.2010.2065951⟩. ⟨hal-00548966⟩

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