Article Dans Une Revue
Nanotechnology
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00548956
Soumis le : mardi 21 décembre 2010-08:30:54
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00548956 , version 1
- DOI : 10.1088/0957-4484/21/20/205703
Citer
C. Thelander, K.A. Dick, M.T. Borgström, L.E. Fröberg, P. Caroff, et al.. The electrical and structural properties of n-type InAs nanowires grown from metal-organic precursors. Nanotechnology, 2010, 21, pp.205703-1-9. ⟨10.1088/0957-4484/21/20/205703⟩. ⟨hal-00548956⟩
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