Laser activation of Ultra Shallow Junctions (USJ) doped by Plasma Immersion Ion Implantation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Surface Science Année : 2009

Laser activation of Ultra Shallow Junctions (USJ) doped by Plasma Immersion Ion Implantation

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00542699 , version 1 (03-12-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00542699 , version 1

Citer

V. Vervisch, Yannick Larmande, Philippe Delaporte, Thierry Sarnet, Marc Sentis, et al.. Laser activation of Ultra Shallow Junctions (USJ) doped by Plasma Immersion Ion Implantation. Applied Surface Science, 2009, 255 (10), pp.5647-5650. ⟨hal-00542699⟩

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CNRS UNIV-AMU LP3
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