Tension de seuil réduite pour composants de puissance à grille: Intérêts et conséquences.

Timothé Simonot (1) , Nicolas Clément, Jean-Paul Rouger (1) , Xuan Hoa Nguyen (1) , Jean-Christophe Crébier (1) , Abdelhakim Bourennane (2) , Jean-Louis Sanchez (2) , Laurent Gerbaud (1)

1 G2ELab - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble
2 LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

Les composants de puissance à grille ont généralement des tensions de seuil proches de 3 à 4V et des tensions de grille nominales entre 15 et 20V. Ces caractéristiques électriques unanimement reconnues et utilisées sont revisitées dans le cadre d'une collaboration G2ELab-LAAS pour évaluer quels pourraient être les gains et conséquences d'une réduction de la tension de seuil des composants de puissance. Les transistors MOS à niveau de commande logique existent mais cet article propose d'étudier de manière théorique l'évolution des caractéristiques électriques et physique de composants à grille en fonction de la tension de seuil pour voir si les valeurs habituelles, évidentes et appropriées à une époque d'un standard de micro-électronique sont toujours appropriées aux évolutions actuelles de l'électronique de puissance.

Domaines: Energie électrique

Timothé Simonot, Nicolas Clément, Jean-Paul Rouger, Xuan Hoa Nguyen, Jean-Christophe Crébier, Abdelhakim Bourennane, et al.. Tension de seuil réduite pour composants de puissance à grille: Intérêts et conséquences.. Électronique de Puissance du Futur, Jun 2010, Saint-Nazaire, France. 4p. ⟨hal-00498857⟩