Improvement of 1.55 µm InAs QD laser using vicinal (001)InP substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Improvement of 1.55 µm InAs QD laser using vicinal (001)InP substrate

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00485799 , version 1 (21-05-2010)

Identifiants

Citer

Georges Elias, Antoine Letoublon, Rozenn Piron, Ibrahim Alghoraibi, Karine Tavernier, et al.. Improvement of 1.55 µm InAs QD laser using vicinal (001)InP substrate. IPRM, Indium Phosphide & Related Materials, May 2009, Newportbeach, United States. pp.41 - 44, ⟨10.1109/ICIPRM.2009.5012422⟩. ⟨hal-00485799⟩
42 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More