Les premiers instants de la croissance de films minces d'oxydes métalliques par MOCVD : Etude in situ de l'interface TiO2/Si par XPS-ARXPS. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Les premiers instants de la croissance de films minces d'oxydes métalliques par MOCVD : Etude in situ de l'interface TiO2/Si par XPS-ARXPS.

Agnès Birot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00475376

Soumis le : mercredi 21 avril 2010-17:00:48

Dernière modification le : jeudi 7 septembre 2023-16:08:10

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Dates et versions

hal-00475376 , version 1 (21-04-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00475376 , version 1

Citer

A. Brevet, O. Heintz, R. Chassagnon, L. Imhoff, M.-C. Marco de Lucas, et al.. Les premiers instants de la croissance de films minces d'oxydes métalliques par MOCVD : Etude in situ de l'interface TiO2/Si par XPS-ARXPS.. 2ème Conférence Francophone sur les Spectroscopies d'Electrons (ELSPEC 2006), Apr 2006, Saclay, France. ⟨hal-00475376⟩

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