Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00474491
Soumis le : mardi 20 avril 2010-11:00:26
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00474491 , version 1
Citer
J. Gerbedoen, A. Soltani, M. Mattalah, A. Telia, D. Traodec, et al.. Study of ohmic contact formation on AlGaN/GaN HEMT with AlN spacer on silicon substrate. 4th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2009, 2009, Italy. pp.136-139. ⟨hal-00474491⟩
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