Characterisation and modeling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Characterisation and modeling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs

N. Malbert
  • Fonction : Auteur
A. Curutchet
  • Fonction : Auteur
N. Labat
  • Fonction : Auteur
C. Sury
  • Fonction : Auteur
C. Dua
  • Fonction : Auteur
M. Oualli
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Y. Douvry
  • Fonction : Auteur
N. Defrance
C. Bru-Chevallier
CV
J.M. Bluet
W. Chikhaoui
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00474460

Soumis le : mardi 20 avril 2010-10:38:26

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00474460 , version 1 (20-04-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00474460 , version 1

Citer

N. Malbert, A. Curutchet, N. Labat, C. Sury, C. Dua, et al.. Characterisation and modeling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs. ESA/MOD Workshop on GaN Microwave Component Technologies, 2009, Germany. pp.139-153. ⟨hal-00474460⟩

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