Deep level investigation by capacitance and conductance transient spectroscopy in AlGaN/GaN/SiC HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Année : 2009

Deep level investigation by capacitance and conductance transient spectroscopy in AlGaN/GaN/SiC HEMTs

M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
B. Grimbert
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
Julien Fontaine
  • Fonction : Auteur
M.A. Zaidi
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00473671

Soumis le : vendredi 16 avril 2010-10:26:52

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00473671 , version 1 (16-04-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00473671 , version 1

Citer

M. Gassoumi, B. Grimbert, M.A. Poisson, Julien Fontaine, M.A. Zaidi, et al.. Deep level investigation by capacitance and conductance transient spectroscopy in AlGaN/GaN/SiC HEMTs. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2009, 11, pp.1713-1717. ⟨hal-00473671⟩

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