Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2009
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00473634
Soumis le : vendredi 16 avril 2010-08:41:22
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Alomari, F Medjdoub, J.F. Carlin, E. Feltin, N. Grandjean, et al.. InAlN/GaN MOSHEMT with self-aligned thermally generated oxide recess. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.1131-1133. ⟨10.1109/LED.2009.2031659⟩. ⟨hal-00473634⟩
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