Article Dans Une Revue
International Journal of High Speed Electronics and Systems
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00473433
Soumis le : jeudi 15 avril 2010-11:36:23
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Alomari, F Medjdoub, E. Kohn, M.A. Di Forte-Poisson, S. Delage, et al.. InAlN/GaN MOS-HEMT with thermally grown oxide. International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2009, 19, pp.137-144. ⟨10.1142/S0129156409006187⟩. ⟨hal-00473433⟩
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