Article Dans Une Revue
Microelectronics Journal
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00473430
Soumis le : jeudi 15 avril 2010-11:36:09
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Gassoumi, J.M. Bluet, Christophe Gaquière, G. Guillot, H. Maaref. Deep levels and nonlinear characterization of AlGaN/GaN HEMTs on silicon carbide substrate. Microelectronics Journal, 2009, 40, pp.1161-1165. ⟨10.1016/j.mejo.2007.02.005⟩. ⟨hal-00473430⟩
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