Gibbs-Thomson and diffusion-induced contributions to the growth rate of Si, InP, and GaAs nanowires - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2009

Gibbs-Thomson and diffusion-induced contributions to the growth rate of Si, InP, and GaAs nanowires

V.G. Dubrovskii
  • Fonction : Auteur
N.V. Sibirev
  • Fonction : Auteur
G.E. Cirlin
  • Fonction : Auteur
I.P. Soshnikov
  • Fonction : Auteur
W.H. Chen
  • Fonction : Auteur
R. Larde
CV
E. Cadel
P. Pareige
T. Xu
  • Fonction : Auteur
B. Grandidier
CV
J.P. Nys
  • Fonction : Auteur
D. Stievenard
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M. Moewe
  • Fonction : Auteur
L.C. Chuang
  • Fonction : Auteur
C. Chang-Hasnain
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00473095

Soumis le : mercredi 14 avril 2010-11:33:17

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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hal-00473095 , version 1 (14-04-2010)

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Citer

V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, W.H. Chen, et al.. Gibbs-Thomson and diffusion-induced contributions to the growth rate of Si, InP, and GaAs nanowires. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2009, 79, pp.205316-1-7. ⟨10.1103/PhysRevB.79.205316⟩. ⟨hal-00473095⟩

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