Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00471974
Soumis le : vendredi 9 avril 2010-11:08:36
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
G. Larrieu, Dmitri Yarekha, Emmanuel Dubois, N. Breil, O. Fainot. Arsenic-segregated rare earth silicide junctions : reduction of Schottky barrier and integration in metallic n-MOSFETs on SOI. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.1266-1268. ⟨10.1109/LED.2009.2033085⟩. ⟨hal-00471974⟩
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