Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2009
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00471810
Soumis le : vendredi 9 avril 2010-08:15:56
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
R. Valentin, Emmanuel Dubois, G. Larrieu, J.P. Raskin, Gilles Dambrine, et al.. Optimization of RF performance of metallic source/drain SOI MOSFETs using dopant segregation at the Schottky interface. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.1197-1199. ⟨10.1109/LED.2009.2031254⟩. ⟨hal-00471810⟩
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