Etching Mechanisms of Low-k Materials with the Solid FirstTM ILD Process in Fluorocarbon Based Plasma - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Etching Mechanisms of Low-k Materials with the Solid FirstTM ILD Process in Fluorocarbon Based Plasma

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00461617

Soumis le : vendredi 5 mars 2010-10:32:27

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:22:33

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00461617 , version 1 (05-03-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00461617 , version 1

Citer

T. Chevolleau, D. Eon, Maxime Darnon, L. Vallier, O. Joubert. Etching Mechanisms of Low-k Materials with the Solid FirstTM ILD Process in Fluorocarbon Based Plasma. AVS 52nd international symposium, 2005, United States. ⟨hal-00461617⟩

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