Study of Si Nanowires Growth by CVD-VLS and Physical Properties

T. Baron (1) , F. Dhalluin (1) , B. Salem (1) , B. Salhi (1) , H. Abed (1) , A. Potie (1) , M. Panabière (1) , S. Decossas (1) , M. Kogelschatz (1) , L. Montès (2) , F. Oehler (3) , P. Gentile (3) , N. Pauc , M. den Hertog (4) , J.L. Rouvière (4) , P. Noe (3) , P. Ferret (5)

1 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
4 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
5 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Matière Condensée [cond-mat]; Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

T. Baron, F. Dhalluin, B. Salem, B. Salhi, H. Abed, et al.. Study of Si Nanowires Growth by CVD-VLS and Physical Properties. 216th ECS Meeting in Vienna, 2009, Vienne, Austria. ⟨hal-00461113⟩