The morphology of silicon nanowires grown in the presence of trimethylaluminium

F. Oehler (1) , P. Gentile (1) , T. Baron (2) , M. den Hertog (3) , J.L. Rouviere (3) , P. Ferret (4)

1 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
2 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
3 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
4 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Matière Condensée [cond-mat]; Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

F. Oehler, P. Gentile, T. Baron, M. den Hertog, J.L. Rouviere, et al.. The morphology of silicon nanowires grown in the presence of trimethylaluminium. Nanotechnology, 2009, pp.20 (24): Art. No. 245602 JUN 17 2009. ⟨hal-00455406⟩